IBM в партнерстве с Samsung и GlobalFoundries разработала новый процесс для создания 5-нанометровых чипов. Два года назад IBM представила 7-нм процесс, на основе которого Samsung может представить чипы уже в следующем году. Новый же анонс значительно важнее в области дизайна процессоров. 

Новый техпроцесс использует транзистор типа «gate-all-around», где материал «ворот» захватывает три горизонтальных кремниевых «нанолиста» в сравнении с вертикальным fin-дизайном (FinFET), который используется в нынешних чипах. IBM сообщает, что FinFET можно масштабировать до 5-нм, однако он упрется в потолок производительности из-за ограничений в потоке на данном масштабе. Более того «»gate-all-around» проще, чем FinFET, а также может масштабироваться до 3 нм.

IBM сообщает, что новый дизайн на 40% производительней, чем 10 нм чипы, при том же уровне энергопотребления. Что самое важное, данный чип на 75% энергоэффективнее нынешнего поколения.

Источник: shazoo.ru

Добавить комментарий

Навигация по записям